当时间定格在3月8日晚间,三星电子位于韩国首尔南部、京畿道华城的芯片工厂起火。据悉华城工厂是三星目前最先进的芯片生产基地,主营先进极紫外光(EUV)工艺逻辑代工、高端DRAM、NAND Flash等产品。不过三星声称起火点与芯片产线有一定距离,没有对生产线造成损伤,亦不会影响芯片的生产。
不过从历史经验来说,起火有没有烧到产线似乎并没有那么重要,只要消息一出网友们肯定是一片涨价的嘘声。当去年那股涨价的浪潮还未退去,蔓延全球的疫情又给予一记沉重的暴击,而后起火意外突如而至,都为存储市场降价蒙上了厚厚的阴霾。但这不意味着阳光一定要在风雨过后,良心厂家紫光出品的P5160固态硬盘就给我们带来了一丝曙光,日渐消瘦的腰包好像在说:“扶我起来,我还能一战!”
这款P5160采用PCIe Gen3x4接口,支持NVMe1.3协议,原厂3D TLC闪存颗粒,M.2 2280尺寸可以满足轻薄设备狭小的空间要求。官方标称顺序读取和写入速度最高可达3200MB/秒和2200MB/秒,大大提升系统响应和文件载入速度,办公和娱乐都能游刃有余。目前有256GB和512GB两个大容量版本可供选择,随着各种系统、软件的文件大小增加,相对于128GB的捉襟见肘,大容量无疑有更大的发挥空间。
光有好看的参数肯定是不够的,这次也从测试角度还原一下紫光P5160的真正实力。
第一个出场的是用户常用的AS SSD BENCHMARK,在空盘情况下先做个1GB文件小试牛刀,读写速度分别为2765MB/s和1954MB/s;紧接着压力翻倍直接测10GB文件,最终读写速度分别是2812MB/s和1924MB/s。两次测试结果相差不大,各项分数也基本没有波动,几乎可以认为是测试误差。
第二个出场的是CrystalDiskMark,读写速度分别为3211MB/s和2245MB/s,这个结果表明官方标称的速度是所言不虚的。
第三个出场的TxBENCH就非常给面子了,3246MB/s和2431MB/s的顺序读写有点优秀,尤其是写入速度超了官方标准一小截!
三板斧抡过,速度测试也就做完了,为了接下来考验这块紫光P5160的稳定性如何,祭出大名鼎鼎的HD Tune pro。首先看下这块固态的坏块情况,经过检查并未发现问题。
然后进行文件基准测试,在100GB的文件写入过程中可以看出这块紫光P5160缓存为78GB左右,就日常办公和游戏使用情况来说是绝对富余的,并且缓外速度也能达到SATA3硬盘的瓶颈,整个写入过程平稳。
仅仅是空盘写入当然不足以说明问题,再来看硬盘空间占用率达到300GB的时候会有什么表现。同样是100GB的文件基准测试,紫光P5160保持了78GB左右的缓存容量,并且速度曲线依旧稳得一批,这就很能说明实力了。
经过一番蹂躏,紫光P5160不仅顺利通过了速度和稳定性测试,并且部分项目中还可以让人有些小惊喜,原厂颗粒的水平还是有目共睹的。在目前固态价格飞速上涨的情况下,紫光P5160在同价位的性能可谓是佼佼者,另外五年的质保,以及只换不修的售后策略也更加令人放心。